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略，于 ## 在公告。略方式，现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:满足12英寸集成电路生产企业的28nm/14nm工艺研发和量产要求，射频氮化钽、铜溅射设备
用于在300mm硅片上沉积氮化钛、钽、铝薄膜, 满足28nm、14nm的工艺研发、量产工艺需
用于在300mm硅片上沉积钴薄膜，满足14nm的工艺研发、量产工艺需求
用于在300mm硅片上沉积钛、氮化钛薄膜, 满足28nm的工艺研发、量产工艺需求
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于化学法氮化钛沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于合金溅射设备
满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛原子层沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm和 14nm的工艺研发和量产要求，用于原子层沉积氮化钽设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛、钛、铝溅射设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于低压射频氮化钛沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于射频溅射钛铝沉积设备

资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
略条件的说明:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号: ##
招标项目名称:X华力略选择性化学法钴沉积设备
项目实施地点:中国X市
招标产品列表(主要设备):

序号	产品名称	数量	简要技术规格	备注
1	射频氮化钽、铜溅射设备	6台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm/14nm工艺研发和量产要求，射频氮化钽、铜溅射设备
2	氮化钛、钽、铝溅射设备	2台	用于在300mm硅片上沉积氮化钛、钽、铝薄膜, 满足28nm、14nm的工艺研发、量产工艺需
3	选择性化学法钴沉积设备	1台	用于在300mm硅片上沉积钴薄膜，满足14nm的工艺研发、量产工艺需求
4	钛、氮化钛溅射设备	1台	用于在300mm硅片上沉积钛、氮化钛薄膜, 满足28nm的工艺研发、量产工艺需求
5	化学法氮化钛沉积设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于化学法氮化钛沉积设备
6	合金溅射设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于合金溅射设备
7	氮化钛原子层沉积设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛原子层沉积设备
8	原子层沉积氮化钽设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm和 14nm的工艺研发和量产要求，用于原子层沉积氮化钽设备
9	氮化钛、钛、铝溅射设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛、钛、铝溅射设备
10	低压射频氮化钛沉积设备	2台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于低压射频氮化钛沉积设备
11	射频溅射钛铝沉积设备	1台	满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于射频溅射钛铝沉积设备

3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1）投标人应为符合《略投标法》规定的独立法人或其他组织；
2）投标人或投标货物的制造商须具备向12英寸集成电路制造企业提供此类设备的供货和安装调试经验；
3) 法律、行政法规规定的其他条件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间: ##
招标文件领购结束时间: ##
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购地点：X市X路28略16楼（略有限公司）
招标文件售价:免费
5、投标文件的递交
投标截止时间（开标时间）: ## 09:30
投标文件送达地点:X市X路28略16楼（略有限公司）
开标地点:X市X路28略16楼（略有限公司）
6、投标人在投标前需在上完成注册。评标结果将在公示。
7、联系方式
招标人:X华力略
地址:X市X区张江高科技园区497号
联系人:汤育文
联系方式:86-21- ##
招标代理机构:略有限公司
地址:X市X路28略16楼（略有限公司）
联系人:张伟 潘永亮
联系方式:86-21- ##
8、汇款方式:
招标代理略(人民币):略
招标代理略(美元):略
账号(人民币): ##
账号(美元): ##